電荷耦合器件 電荷耦合器件（charge-coupled device，CCD)是一種用于探測(cè)光的硅片，由時(shí)鐘脈沖電壓來產(chǎn)生和控制半導(dǎo)體勢(shì)阱的變化，實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)和傳遞電荷信息的固態(tài)電子器件。 電荷耦合器件由美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室的W.S.博伊爾和G.E.史密斯于1969年發(fā)明，它由一組規(guī)則排列的金屬-氧化物-半導(dǎo)體（ MOS）電容器陣列和輸入、輸出電路組成。電荷耦合器件用電荷量來表示不同狀態(tài)的動(dòng)態(tài)移位寄存器，比傳統(tǒng)的底片更能敏感的探測(cè)到光的變化。

基本解釋

利用少數(shù)載流子在表面層勢(shì)壘中存儲(chǔ)和轉(zhuǎn)移而制成的器件。由金屬氧化物半導(dǎo)體電容陣列構(gòu)成。有線陣和面陣兩種。可作延遲線和移位寄存器，也可作模擬信號(hào)處理和存儲(chǔ)用。在當(dāng)前攝像頭中幾乎全部用電荷耦合器件。

網(wǎng)絡(luò)解釋

電荷耦合器件

電荷耦合器件（charge-coupleddevice，CCD)是一種用于探測(cè)光的硅片，由時(shí)鐘脈沖電壓來產(chǎn)生和控制半導(dǎo)體勢(shì)阱的變化，實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)和傳遞電荷信息的固態(tài)電子器件。
電荷耦合器件由美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室的W.S.博伊爾和G.E.史密斯于1969年發(fā)明，它由一組規(guī)則排列的金屬-氧化物-半導(dǎo)體（MOS）電容器陣列和輸入、輸出電路組成。電荷耦合器件用電荷量來表示不同狀態(tài)的動(dòng)態(tài)移位寄存器，比傳統(tǒng)的底片更能敏感的探測(cè)到光的變化。